特許
J-GLOBAL ID：200903078584537234
炭化珪素半導体素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奥田 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-288703
公開番号（公開出願番号）：特開2008-108824
出願日： 2006年10月24日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：
【課題】炭化珪素層表面に単一の結晶面からなるファセット面を形成し、炭化珪素半導体素子の素子特性を向上させる。【解決手段】オフ角を有する炭化珪素基板1と、炭化珪素基板1の上に形成された炭化珪素層10とを備え、炭化珪素層10の表面は、単一の結晶面から構成されるファセット面9を有し、ファセット面9は、炭化珪素基板1の表面における包絡面に対して傾斜しており、炭化珪素層10は、ファセット面9が形成された第1領域10aと、ファセット面9における最も低い部分9Lに隣接する第2領域10bとを含み、第1領域10aにおける最も高い部分9Hは、第2領域10bの表面よりも高く、炭化珪素層10の表面には、ファセット面9の端部の少なくとも一部に沿って、ファセット面9のうち最も低い部分9Lよりも窪んだ底部を有する段差が設けられていない。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
オフ角を有する炭化珪素基板と、
前記炭化珪素基板の上に形成された炭化珪素層と
を備え、
前記炭化珪素層の表面は、単一の結晶面から構成されるファセット面を有し、
前記ファセット面は、前記炭化珪素基板の表面における包絡面に対して傾斜しており、
前記炭化珪素層は、前記ファセット面が形成された第1領域と、前記ファセット面における最も低い部分に隣接する第2領域とを含み、
前記第1領域における最も高い部分は、前記第2領域の表面よりも高く、
前記炭化珪素層の表面には、前記ファセット面の端部の少なくとも一部に沿って、前記ファセット面のうち最も低い部分よりも窪んだ底部を有する段差が設けられていない炭化珪素半導体素子。
IPC (4件)：
H01L 29/12
, H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/205
H01L29/78 652T
, H01L29/78 652A
, H01L29/78 658A
, H01L29/78 658E
, H01L29/78 658G
, H01L21/205
5F045AA03
, 5F045AB06
, 5F045AC01
, 5F045AC07
, 5F045AF02
, 5F045BB12
, 5F045BB16
, 5F045CA05
