特許
J-GLOBAL ID：200903025531480366
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-101621
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294777
出願日： 1999年04月08日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 高温アニール時に生じるバンチングステップの間の平坦な部分をMOSFET等の電界効果型トランジスタのチャネル部分に利用し、高いキャリア移動度と優れた素子特性を持つ炭化硅素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 高温アニール時に生じるバンチングステップ8の間の平坦部9をMOSFET等の電界効果型トランジスタのチャネル部分7に利用する。また、チャネルのキャリアの移動方向がバンチングステップを横切らないようなチャネルの方向を持つ構造をし、また、ステップバンチングの位置を制御するための意図的に作製した立体的な凸凹構造の表面を持った炭化硅素基板を有し、アニール後に表面部分をエッチングにより取り除く作製を行う。
請求項（抜粋）：
炭化硅素半導体材料を用いた半導体装置において、高温アニール時に形成されたバンチングステップ間の平坦部分を電界効果型トランジスタのチャネルとしたことを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 B
, H01L 29/78 301 H
5F040DA00
, 5F040DA05
, 5F040DC01
, 5F040EE02
, 5F040EF01
