特許

J-GLOBAL ID：200903078584639720

半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者： 澤木 宣彦 ,  本田 善央 ,  亀代 典史 ,  山口 雅史 ,  小出 典克 ,  伊藤 茂稔 ,  大野 智輝 ,  古川 勝紀
出願人/特許権者： 澤木 宣彦 ,  シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-240413
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246697
出願日： 2001年08月08日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】 クラックの発生を抑制し、かつ優れた光電特性を有する半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体レーザ素子は、基板1と、基板1上に形成された窒化物半導体で構成されるn-GaN層102とを有し、上記基板1は、基板の主面より62度の傾斜した面か、もしくはこの面から任意の方向に3度以内の範囲で傾いた面を斜面として有する溝を備え、n-GaN層102はこの斜面上に形成されるとともに、n-GaN層102上に、各々窒化物半導体で構成される下部クラッド層103、活性層105、上部クラッド層108を有し、かつ活性層105は、上記主面に概略一致した面方位をもつ。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成された窒化物半導体で構成される化合物半導体層とを有する半導体レーザ素子であって、前記基板は、前記基板の主面より62度の傾斜した面か、もしくはこの面から任意の方向に3度以内の範囲で傾いた面を斜面として有する溝を備え、前記化合物半導体層は前記斜面上に形成されるとともに、前記化合物半導体層上に、各々窒化物半導体で構成される下部クラッド層、活性層、上部クラッド層を有し、かつ前記活性層は、前記主面に概略一致した面方位をもつことを特徴とする半導体レーザ素子。

Fターム (11件)：

5F073AA11 ,  5F073AA74 ,  5F073AB19 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA23 ,  5F073DA25 ,  5F073DA32