特許

J-GLOBAL ID：200903078596660961

単結晶育成方法、該方法を用いて育成された単結晶、及び単結晶ウエハ

発明者： 伊藤 誠人
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-360983
公開番号（公開出願番号）：特開平11-189489
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：

【要約】【課題】 積層欠陥リングの直径を制御することにより、単結晶内でのgrown-in欠陥の密度を低減させることのできる単結晶育成方法を提供すること。【解決手段】 坩堝内の溶融液に種結晶を浸漬した後、該種結晶を引き上げることにより単結晶を育成する単結晶育成方法において、結晶引き上げ方向に直交する結晶面1内における(最大直径DMAX -最小直径DMIN )/最小直径DMIN で表される結晶変形率が1.5〜2.0%となるような引き上げ速度Vopを予め算出しておき、実際の育成時における目標引き上げ速度VをV=Vop×α(α≦0.8)に設定する。

請求項（抜粋）：

坩堝内の溶融液に種結晶を浸漬した後、該種結晶を引き上げることにより単結晶を育成する単結晶育成方法において、結晶引き上げ方向に直交する面内における(最大直径-最小直径)/最小直径で表される結晶変形率が1.5〜2.0%となるような引き上げ速度Vopを予め算出しておき、実際の育成時における目標引き上げ速度VをV=Vop×α(α≦0.8)に設定することを特徴とする単結晶育成方法。

IPC (2件)：

C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502

FI (2件)：

C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 J

引用特許：

審査官引用 (1件)

• シリコン単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-172237   出願人：九州電子金属株式会社, 住友シチックス株式会社