半導体基板から残留物をストリッピングするための1,3-ジカルボニル化合物キレート剤を含む処方物

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-529071
公開番号（公開出願番号）：特表2001-507073
出願日： 1997年12月23日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】半導体製品のプラズマ灰化後に用いる半導体ウェハー洗浄処方物は、以下の成分を示された重量パーセントの範囲で含有する:2〜98%の有機アミン;0〜50%の水;0.1〜60%の1,3-ジカルボニル化合物キレート剤;0〜25%の第2のまたは代わりのキレート剤;2〜98%の極性有機溶媒。

請求項（抜粋）：

半導体製品のプラズマ灰化後に用いるための半導体ウェハー洗浄処方物であって、以下の成分を示された重量パーセントの範囲で含有する、処方物: 有機アミン 2〜98% 水 0〜50% 1,3-ジカルボニル化合物キレート剤 0.1〜60% 第2のあるいは代わりのキレート剤 0〜25% 極性有機溶媒 2〜98%。

IPC (7件)：

C11D 17/08 , C11D 7/26 , C11D 7/32 , C11D 7/50 , H01L 21/304 647 , H01L 21/304 , H01L 21/308

FI (7件)：

C11D 17/08 , C11D 7/26 , C11D 7/32 , C11D 7/50 , H01L 21/304 647 A , H01L 21/304 647 B , H01L 21/308 G

引用特許：

審査官引用 (6件)

還元及び酸化電位を有する求核アミン化合物を含む洗浄剤
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-193940 出願人：イー.ケー.シー.テクノロジー.インコーポレイテッド
キレート剤を含有するホトレジストストリッパー組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-112232 出願人：オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド
特開平3-219000

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