特許

J-GLOBAL ID：200903078650913625

基板処理装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 田辺 光朗
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (2件)： 荒船 博司 ,  宮本 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-303080
公開番号（公開出願番号）：特開2009-130108
出願日： 2007年11月22日
公開日（公表日）： 2009年06月11日
要約：

【課題】処理ガスの種類の切替え時間を短縮する。【解決手段】基板処理装置100は、基板200を処理する処理室201と、処理室201内に設けられる基板200と対向して設けられ多数のガス供給孔240から処理ガスを供給するためのガス供給部236a,236bと、ガス供給部236a,236b内に処理ガスを導入するガス導入口234,235と、処理室201に連通する排気口230と、ガス供給部236a,236bに連通する排気口305と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板を処理する処理室と、 前記処理室内に設けられる基板と対向して設けられ複数のガス供給孔から処理ガスを供給するためのガス供給部と、 前記ガス供給部内に前記処理ガスを導入するガス導入口と、 前記処理室に連通する第1の排気口と、 前記ガス供給部に連通する第2の排気口と、 を備える基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/455

FI (3件)：

H01L21/285 C ,  H01L21/205 ,  C23C16/455

Fターム (36件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA01 ,  4K030BA02 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA04 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030KA02 ,  4K030KA23 ,  4K030KA28 ,  4K030LA15 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB30 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104FF13 ,  5F045AA04 ,  5F045AB40 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AD06 ,  5F045AE17 ,  5F045DP02 ,  5F045DP03 ,  5F045EE17 ,  5F045EE19 ,  5F045EF20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-377157   出願人：株式会社日立国際電気