特許

J-GLOBAL ID：200903078653768634

固体撮像素子及びその製造方法

発明者： 四谷 真一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-038888
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246579
出願日： 2001年02月15日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】CMOS光センサーの感度不足を解消する層内マイクロレンズの構造とその製造方法を提供する。【解決手段】固体撮像素子の製造方法は、遮光膜成膜後に、開口部を形成するためにレジストパターニングを行い、遮光膜をドライエッチングにてパターニングし、その直下の層間絶縁膜を光電変換素子直上付近までドライエッチングを行ない未貫通穴を形成した後、前記レジストを除去し、前記穴に層間絶縁膜の屈折率より高い屈折率を有する物質で充填した後、平坦化処理を行い、その上にカラーフィルタ層を形成し、カラーフィルター層を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板にマトリクス状に設けられた複数の光電変換素子を有し、該光電変換素子に隣接してスイッチング素子及び配線が形成されてなり、該スイッチング素子及び該配線の上に遮光膜が形成されてなり、前記配線と前記遮光膜との間に層間絶縁膜が形成されてなる固体撮像素子において、前記遮光膜に形成された開口部に、前記層間絶縁膜の屈折率より高い屈折率を有する透明材料が充填されてなることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (6件)：

H01L 27/146 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/0232 ,  H04N 5/335

FI (7件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/20 ,  H04N 5/335 E ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 A ,  H01L 27/14 D ,  H01L 31/02 D

Fターム (28件)：

4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA40 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118GA09 ,  4M118GB11 ,  4M118GC08 ,  4M118GD04 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024CY48 ,  5C024CY49 ,  5C024EX43 ,  5C024EX52 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31 ,  5F052KB06 ,  5F088BA01 ,  5F088BB03 ,  5F088EA04 ,  5F088HA10 ,  5F088HA20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-094664
  
• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-296724   出願人：株式会社東芝
• 固体撮像素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-011782   出願人：シャープ株式会社