半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：井上一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-112222
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298193
出願日： 2000年04月13日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】高い電流駆動能力を備え、かつ歩留まりが高い半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置1000は、NMOSFET100Aと、PMOSFET100Bとを有する。各MOSFETは、SOI基板1のシリコン層1aに形成された、ソース領域およびドレイン領域を構成する第1および第2の不純物拡散層8a,8bと、第1および第2の不純物拡散層8a,8bの間に形成されたチャネル領域7と、少なくともチャネル領域7上に形成されたゲート絶縁層2と、ゲート絶縁層2上に形成されたゲート電極3と、を有する。ゲート電極3は、少なくともゲート絶縁層2に接する領域に窒化タンタル層4と、窒化タンタル層4上に形成されたタンタル層5とを有する。タンタル層5は、体心立方格子相からなる結晶構造を有する。

請求項（抜粋）：

半導体層に形成された、ソース領域およびドレイン領域を構成する第1および第2の不純物拡散層と、前記第1および第2の不純物拡散層の間に形成されたチャネル領域と、少なくとも前記チャネル領域上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、を含み、前記ゲート電極は、少なくとも前記ゲート絶縁層に接する領域に形成された窒化タンタル層と、該窒化タンタル層上に形成されたタンタル層とを含む、半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 301 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/08 331 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (10件)：

H01L 21/28 301 R , H01L 21/285 S , H01L 21/285 301 R , H01L 27/08 331 E , H01L 29/78 617 L , H01L 27/08 321 D , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 617 M , H01L 29/78 617 J

Fターム (64件)：

4M104AA09 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104BB32 , 4M104BB37 , 4M104BB38 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD42 , 4M104DD84 , 4M104EE09 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F040DA06 , 5F040DB03 , 5F040DC01 , 5F040EB12 , 5F040EC02 , 5F040EC04 , 5F040EC12 , 5F040EH02 , 5F040FA05 , 5F040FC19 , 5F048AA08 , 5F048AC03 , 5F048AC04 , 5F048BA16 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB13 , 5F048BF06 , 5F048BG07 , 5F048DA25 , 5F110AA03 , 5F110AA08 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE11 , 5F110EE12 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE32 , 5F110EE41 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG02 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HK40 , 5F110NN02 , 5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-202376 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

前のページに戻る