特許
J-GLOBAL ID：200903018391511960
半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-202376
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036598
出願日： 1998年07月16日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、同一基板上に同時に異なるLDD構造を有する生産性の高いTFTの作製方法およびその構造を提供することを目的としている。即ち、本発明はTFTの新規な構造と生産性の高い製造工程を提供するものである。【解決手段】 耐熱性の高いTa膜またはTaを主成分とする膜を配線材料に用い、さらに保護層で覆うことで、高温(400〜700°C)での加熱処理を施すことが可能となり、且つ保護層をエッチングストッパーとして用いることで周辺駆動回路部においては、サイドウォール126を用いた自己整合プロセス(セルフアライン)によるLDD構造を備えたTFTを配置する一方、画素マトリクス部においては、絶縁物125を用いた非自己整合プロセス(ノンセルフアライン)によるLDD構造を備えたTFTを配置する
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上にソース領域と、ドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に形成されているチャネル形成領域と、少なくとも前記チャネル形成領域上に接して形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接して形成されたゲート電極と、少なくとも前記ゲート電極の上面または側面を覆う保護膜とを有していることを特徴とする半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 617 J
, H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 617 L
, H01L 29/78 627 G
