イオン注入及び側方拡散による炭化シリコンパワーデバイスの自己整列的な製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：奥山尚一 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-553992
公開番号（公開出願番号）：特表2002-518828
出願日： 1999年06月07日
公開日（公表日）： 2002年06月25日
要約：

【要約】炭化シリコンパワーデバイスは、炭化シリコン基板内にマスクの開口部を通してp型ドーパントを注入して深いp型注入領域を形成することによって製造される。N型ドーパントは前記p型注入領域と比較して浅いn型注入領域を形成するためにマスクの同じ開口部を通して注入される。その後、アニールが、前記深いp型注入領域を前記浅いn型注入領域を囲む炭化シリコン表面まで、前記深いp型注入領域を前記浅いn型注入領域を通って炭化シリコン基板表面まで縦方向に拡散させることなく、側方拡散させるのに十分な温度及び時間で実行される。従って、自己整列した浅い注入領域及び深い注入領域がイオン注入によって実現され、そして良く制御されたチャネルが、高い拡散率を有するp型ドーパントを十分に拡散させるアニールによって形成されるが、その一方で低い拡散率を有するn型ドーパントは比較的固定される。その結果、pベース領域はn型ソースの周りに形成される。横型及び縦型パワーMOSFETはこうして製造される。

請求項（抜粋）：

炭化シリコン基板の一表面をマスクして該表面に開口部を画定する工程と、最初に、前記開口部を通して前記炭化シリコン基板内にp型ドーパントを、深いp型注入領域を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する工程と、次いで、前記開口部を通して前記炭化シリコン基板内にn型ドーパントを、前記深いp型注入領域と比較して浅いn型注入領域を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する工程と、前記深いp型注入領域を、前記浅いn型注入領域を囲む前記炭化シリコン基板の表面まで、該深いp型注入領域を該浅いn型注入領域を通って前記炭化シリコン基板の前記表面まで縦方向に拡散させることなく、側方拡散させるのに十分な温度及び時間でアニールする工程と、を有することを特徴とする炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 29/78 652 , H01L 21/225 , H01L 21/265 , H01L 21/265 602 , H01L 21/336

FI (8件)：

H01L 29/78 652 T , H01L 21/225 Z , H01L 21/265 602 A , H01L 21/265 301 B , H01L 21/265 Z , H01L 21/265 F , H01L 21/265 301 D , H01L 21/265 658 A

Fターム (27件)：

5F140AA30 , 5F140AA40 , 5F140AB04 , 5F140AC21 , 5F140AC23 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BB15 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BD05 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BH09 , 5F140BH10 , 5F140BH13 , 5F140BH21 , 5F140BH30 , 5F140BH43 , 5F140BH49 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BK07 , 5F140BK09 , 5F140BK13 , 5F140BK20 , 5F140BK26

引用特許：

審査官引用 (1件)

高いラッチアップ耐性を備えた炭化ケイ素ベースのMIS構造
公報種別：公表公報出願番号：特願平7-522678 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

引用文献：

審査官引用 (1件)

"High-Voltage Double-ImplantedPower MOSFET’s in 6H-SiC"

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