特許
J-GLOBAL ID:200903078710818520
シリコーン処理粉体、その製造方法及びそれを用いた組成物
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
舘野 千惠子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-380891
公開番号(公開出願番号):特開2001-262004
出願日: 2000年12月14日
公開日(公表日): 2001年09月26日
要約:
【要約】【課題】 種々の化粧料に配合でき、製品中での安定性に優れたシリコーン処理粉体、およびその製造方法を提供する。【解決手段】 粉体の表面にシリコーン化合物が被覆されたシリコーン処理粉体であって、該シリコーン処理粉体表面上に残存するSi-H基によって発生する水素量が0.2mL/処理粉体1g以下で、かつ処理粉体に対する水の接触角が100°以上を示すものとする。またその製造方法は、粉体の表面にシリコーン化合物を被覆したシリコーン化合物被覆粉体を、260〜500°Cで、0.1〜24時間加熱する。
請求項(抜粋):
粉体の表面にシリコーン化合物が被覆されたシリコーン処理粉体であって、該シリコーン処理粉体表面上に残存するSi-H基によって発生する水素量が0.2mL/処理粉体1g以下で、かつ処理粉体に対する水の接触角が100°以上を示すことを特徴とするシリコーン処理粉体。
IPC (9件):
C09C 3/12
, A61K 7/00
, A61K 7/027
, A61K 7/035
, A61K 7/42
, C08K 9/06
, C08L101/00
, C09D 7/12
, C09D201/00
FI (11件):
C09C 3/12
, A61K 7/00 E
, A61K 7/00 N
, A61K 7/00 P
, A61K 7/027
, A61K 7/035
, A61K 7/42
, C08K 9/06
, C08L101/00
, C09D 7/12
, C09D201/00
引用特許:
審査官引用 (6件)
-
特開昭63-139015
-
処理粉体の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-104418
出願人:株式会社資生堂
-
特開昭63-139015
全件表示
前のページに戻る