特許
J-GLOBAL ID:200903078710818520

シリコーン処理粉体、その製造方法及びそれを用いた組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 舘野 千惠子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-380891
公開番号(公開出願番号):特開2001-262004
出願日: 2000年12月14日
公開日(公表日): 2001年09月26日
要約:
【要約】【課題】 種々の化粧料に配合でき、製品中での安定性に優れたシリコーン処理粉体、およびその製造方法を提供する。【解決手段】 粉体の表面にシリコーン化合物が被覆されたシリコーン処理粉体であって、該シリコーン処理粉体表面上に残存するSi-H基によって発生する水素量が0.2mL/処理粉体1g以下で、かつ処理粉体に対する水の接触角が100°以上を示すものとする。またその製造方法は、粉体の表面にシリコーン化合物を被覆したシリコーン化合物被覆粉体を、260〜500°Cで、0.1〜24時間加熱する。
請求項(抜粋):
粉体の表面にシリコーン化合物が被覆されたシリコーン処理粉体であって、該シリコーン処理粉体表面上に残存するSi-H基によって発生する水素量が0.2mL/処理粉体1g以下で、かつ処理粉体に対する水の接触角が100°以上を示すことを特徴とするシリコーン処理粉体。
IPC (9件):
C09C 3/12 ,  A61K 7/00 ,  A61K 7/027 ,  A61K 7/035 ,  A61K 7/42 ,  C08K 9/06 ,  C08L101/00 ,  C09D 7/12 ,  C09D201/00
FI (11件):
C09C 3/12 ,  A61K 7/00 E ,  A61K 7/00 N ,  A61K 7/00 P ,  A61K 7/027 ,  A61K 7/035 ,  A61K 7/42 ,  C08K 9/06 ,  C08L101/00 ,  C09D 7/12 ,  C09D201/00
引用特許:
審査官引用 (6件)
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