特許
J-GLOBAL ID：200903078711926059

成膜装置および成膜方法

発明者：
秋田 典孝

秋田 典孝 について

, 
小倉 伸一

小倉 伸一 について


出願人/特許権者：
株式会社島津製作所

株式会社島津製作所 について


代理人 (1件)： 永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-032624
公開番号（公開出願番号）：特開2003-231960
出願日： 2002年02月08日
公開日（公表日）： 2003年08月19日
要約：
【要約】【課題】 被成膜面に残留する研磨材を効果的に除去して成膜を行うことができる成膜装置の提供。【解決手段】 クリーニングシステム3にアルゴンガス供給装置17と水素ガス供給装置18を設け、基板Sの表面をクリーニングする場合には、スパッタ室19内にアルゴンガスおよび水素ガスを導入してプラズマを生成する。水素ガスが存在する雰囲気中でプラズマを生成すると、プラズマ中に水素ラジカルが生成される。その結果、プラズマ中のアルゴンイオンにより基板表面がスパッタされるとともに、水素ラジカルが基板表面に残留する研磨材と化学的に反応し、酸化物や残留研磨材が除去される。
請求項（抜粋）：
水素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気中または水素ガス雰囲気中でプラズマを生成し、前記プラズマ中のイオンを被成膜面に照射して前記被成膜面をクリーニングするクリーニングシステムと、前記クリーニングシステムによりクリーニングされた被成膜面に薄膜を形成する成膜システムとを備えたことを特徴とする成膜装置。
IPC (5件)：
C23C 14/02 ,  C23C 16/02 ,  G11B 5/127 ,  G11B 5/187 ,  G11B 5/851
FI (5件)：
C23C 14/02 Z ,  C23C 16/02 ,  G11B 5/127 K ,  G11B 5/187 W ,  G11B 5/851
Fターム (20件)：
4K029AA24 ,  4K029BD11 ,  4K029FA04 ,  4K029FA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030LA20 ,  5D093AA05 ,  5D093AB03 ,  5D093DA05 ,  5D093FA15 ,  5D093HA18 ,  5D111AA19 ,  5D111EE01 ,  5D111GG09 ,  5D111JJ07 ,  5D111JJ08 ,  5D111KK20 ,  5D112FA04 ,  5D112GA20
引用特許：
審査官引用 (1件)

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