特許
J-GLOBAL ID:200903078726611755

半導体素子の封止方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-194402
公開番号(公開出願番号):特開2005-032872
出願日: 2003年07月09日
公開日(公表日): 2005年02月03日
要約:
【解決手段】基板表面に1又は複数の回路と電極とを形成してなる半導体素子の上記回路部分を樹脂封止する方法において、(1)上記回路及び電極が設置された基板表面にレジスト材料を塗布し、レジスト層を形成する工程、(2)樹脂封止すべき回路部分のレジスト層のみが現像液で除去されるようにレジスト層を選択的に露光し、次いで現像を行う工程、(3)レジスト層が選択的に現像、除去されて露呈した樹脂封止すべき回路部分に樹脂封止材を塗布し、この封止材を硬化させる工程、(4)上記回路部分を封止する硬化樹脂層を溶解させず、残存レジスト層を溶解可能な溶剤を用いて残存レジスト層を除去する工程を備えた半導体素子の封止方法。【効果】本発明によれば、耐熱性、透明性及び接着性に優れる有機樹脂封止材を用い、ウエハレベルで回路部分のみを高精度に封止保護できる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板表面に1又は複数の回路と電極とを形成してなる半導体素子の上記回路部分を樹脂封止する方法において、 (1)上記回路及び電極が設置された基板表面にレジスト材料を塗布し、レジスト層を形成する工程、 (2)樹脂封止すべき回路部分のレジスト層のみが現像液で除去されるようにレジスト層を選択的に露光し、次いで現像を行う工程、 (3)レジスト層が選択的に現像、除去されて露呈した樹脂封止すべき回路部分に樹脂封止材を塗布し、この封止材を硬化させる工程、 (4)上記回路部分を封止する硬化樹脂層を溶解させず、残存レジスト層を溶解可能な溶剤を用いて残存レジスト層を除去する工程 を備えたことを特徴とする半導体素子の封止方法。
IPC (4件):
H01L21/56 ,  H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L33/00
FI (4件):
H01L21/56 E ,  H01L23/12 501P ,  H01L23/28 D ,  H01L33/00 N
Fターム (33件):
4M109AA01 ,  4M109BA07 ,  4M109CA10 ,  4M109EA02 ,  4M109EA10 ,  4M109EC11 ,  4M109EC14 ,  4M109EC15 ,  4M109GA01 ,  5F041AA41 ,  5F041AA44 ,  5F041CA77 ,  5F041DA01 ,  5F041DA03 ,  5F041DA04 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA20 ,  5F041DA42 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DA75 ,  5F041DA76 ,  5F041EE25 ,  5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA10 ,  5F061CB02 ,  5F061CB03 ,  5F061CB12 ,  5F061CB13 ,  5F061FA01
引用特許:
審査官引用 (3件)

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