特許

J-GLOBAL ID：200903078729537734

板状結晶の製造装置および製造方法

発明者： 五十嵐 万人 ,  山次 北斗 ,  吉田 浩司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-380865
公開番号（公開出願番号）：特開2006-182626
出願日： 2004年12月28日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：

【課題】 凝固点近傍の低い温度に制御した原料融液に基板を浸漬し、基板上に薄板状の結晶を成長させる板状結晶の製造方法において、角型ルツボなどにおける溶融原料の水平方向における温度分布を均一化するための製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】 本発明の板状結晶の製造装置は、原料をルツボ内で加熱溶融し、基板上で原料の結晶を凝固成長させる板状結晶の製造装置であって、ルツボの開口部における辺部縁上に複数の可動式断熱手段を備えることを特徴とする。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

原料をルツボ内で加熱溶融し、基板上で前記原料の結晶を凝固成長させる板状結晶の製造装置であって、前記ルツボの開口部における辺部縁上に複数の可動式断熱手段を備えることを特徴とする板状結晶の製造装置。

IPC (1件)：

C30B 29/06

FI (1件)：

C30B29/06 501B

Fターム (19件)：

4G072AA01 ,  4G072BB02 ,  4G072GG03 ,  4G072GG04 ,  4G072HH01 ,  4G072MM38 ,  4G072RR23 ,  4G072RR30 ,  4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CG02 ,  4G077EG01 ,  4G077EG19 ,  4G077EG25 ,  4G077EH07 ,  4G077HA01 ,  4G077QA04 ,  4G077QA38 ,  4G077QA62

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体基材製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-088122   出願人：神鋼電機株式会社, シャープ株式会社