特許
J-GLOBAL ID：200903078755524527

薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
西郷 伸吾

西郷 伸吾 について


出願人/特許権者：
鹿児島日本電気株式会社

鹿児島日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-273335
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083971
出願日： 2000年09月08日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：
【要約】【課題】 特性安定化を図る薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、所定のオーミック層14およびその拡散層をプラズマエッチングにより除去するチャンネルエッチングを行うとき、チャネル部19の半導体層表面を予め定めた凹凸にすることとした。
請求項（抜粋）：
所定のオーミック層およびその拡散層をプラズマエッチングにより除去するチャネルエッチングを行うとき、チャネル部の半導体層表面を予め定めた凹凸にすることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/3065
FI (5件)：
H01L 29/78 627 C ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 M ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 618 Z
Fターム (11件)：
5F004AA01 ,  5F004AA11 ,  5F004AA14 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA26 ,  5F004DA29 ,  5F004DB01 ,  5F110CC07 ,  5F110QQ04
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 薄膜トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-395829   出願人：シャープ株式会社
  • 薄膜トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-032734   出願人：鹿児島日本電気株式会社
引用文献：
審査官引用 (1件)

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