特許

J-GLOBAL ID：200903078757801692

ターゲットおよびその製造方法

発明者： 笘井 重和 ,  海上 暁
出願人/特許権者： 出光興産株式会社
代理人 (1件)： 中村 静男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-015028
公開番号（公開出願番号）：特開平9-209134
出願日： 1996年01月31日
公開日（公表日）： 1997年08月12日
要約：

【要約】【課題】 高電気抵抗の透明導電膜を直流スパッタリング法によって製膜する際に使用されている従来の組成の酸化物焼結体からなるターゲットでは、成膜時に異常放電が誘発され易く、かつ、ターゲットの割れが起こり易いことから、安定した製膜を行うことが困難である。【解決手段】 インジウム(In)と、チタン(Ti),イリジウム(Ir),イットリウム(Y),クロム(Cr),ジルコニウム(Zr),ハフニウム(Hf),タンタル(Ta),コバルト(Co),ビスマス(Bi)およびマンガン(Mn)からなる群より選択された少なくとも1種の金属元素と、酸素(O)とを構成元素とし、前記群より選択された金属元素の総量の原子比(全金属原子)/(In+全金属原子)が2.0〜40at%、体積抵抗率が5×10-2Ω・cm以下である酸化物焼結体をターゲットとして用いる。

請求項（抜粋）：

インジウム(In)と、チタン(Ti),イリジウム(Ir),イットリウム(Y),クロム(Cr),ジルコニウム(Zr),ハフニウム(Hf),タンタル(Ta),コバルト(Co),ビスマス(Bi)およびマンガン(Mn)からなる群より選択された少なくとも1種の金属元素と、酸素(O)とを構成元素とし、前記群より選択された金属元素の総量の原子比(全金属原子)/(In+全金属原子)が2.0〜40at%である酸化物焼結体からなり、体積抵抗率が5×10-2Ω・cm以下であることを特徴とするターゲット。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/495 ,  C23C 14/08 ,  H01B 13/00 503

FI (4件)：

C23C 14/34 A ,  C23C 14/08 K ,  H01B 13/00 503 B ,  C04B 35/00 J

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-015106
  
• スパツタリングによる透明導電性薄膜形成用高密度焼結ターゲツト材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-259903   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 特開平3-150252
  
• 特開平4-160047