特許

J-GLOBAL ID：200903078774548747

半導体装置

発明者： 深澤 則雄 ,  川原 孝一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-025482
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222691
出願日： 1995年02月14日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】 本発明は半導体装置に関し、TAB半導体装置を複数個用い、新しい積層法で積層した半導体装置を実現することを目的とする。【構成】 複数のTAB半導体装置10を用い、その表裏を相互に組み合わせて積層し、相互のアウターリード11に母材テープ12を残したこと、あるいは、複数のTAB半導体装置10のテープ部23に複数の貫通孔24を設け、該貫通孔24を利用する位置決め手段により位置決めして積層したこと、あるいは、複数のTAB半導体装置10の母材テープ12のアウターリード実装部に複数のスリット41〜46を設け、該スリット部41〜46のアウターリード11を折り曲げて、TAB半導体装置の上面、側面及び下面に外部接続端子を設けて成るように構成する。

請求項（抜粋）：

複数のTAB(テープオートメイテッドボンディング)半導体装置(10)を用い、その表裏を相互に組み合わせて積層し、相互のアウターリード(11)を接触させると共に、該アウターリード部(11)に母材テープ(12)を残したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 25/10 ,  H01L 25/11 ,  H01L 25/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-086460   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社, 株式会社日立マイコンシステム, 日立東部セミコンダクタ株式会社
• 特開平2-290048
  
• 特開平2-290048