微細加工方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-326938
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183272
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【構成】半導体デバイス等を製造するプロセス中で、半導体基板等をドライエッチングにより微細加工する工程において、レジストを使用せず、該半導体基板等の表面の微細加工部に対し、電子線照射により該微細加工部を変性させてからドライエッチングを行うことを特徴とする微細加工方法。【効果】本発明による微細加工は最も簡易で短い工程であるため、歩留まりもよく、全工程をドライプロセスで行えるため試料汚染などの心配もない。

請求項（抜粋）：

半導体デバイス等を製造するプロセス中で、半導体基板等をドライエッチングにより微細加工する工程において、レジストを使用せず、該半導体基板等の表面の微細加工部に対し、電子線照射により該微細加工部を変性させてからドライエッチングを行うことを特徴とする微細加工方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/302

FI (2件)：

H01L 21/302 N , H01L 21/302 Z

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭53-102845
特開昭60-050925
化合物半導体基板の微細加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-340892 出願人：新技術事業団, 角屋豊, 三矢伸司

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