特許

J-GLOBAL ID：200903078806611802

高密度の不揮発性記憶デバイス

発明者： ボシアン、 ディビッド、 エフ. ,  クアー、 ワーナー、 ジー. ,  リンゼイ、 ジョナサン、 エス. ,  クラウゼン、 ペーター、 クリスティアン ,  グリコ、 ダニエル、 トーマス
出願人/特許権者： ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア ,  ノースカロライナ ステイト ユニバーシティ
代理人 (1件)： 中島 淳 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-508444
公開番号（公開出願番号）：特表2003-504839
出願日： 2000年06月28日
公開日（公表日）： 2003年02月04日
要約：

【要約】本発明は、電気的にアドレスすることができて有効な読取り及び書込みを可能にし、高いメモリー密度(102)を提供し、高度のフォールトトレランスを提供しそして効率的な化学的合成やチップ組み立てになじみやすい新規な高密度記憶デバイス(図3)を提供する。これらのデバイスは本来的に出力状態に保持可能であり、欠陥トレランスであり、そして破壊的又は非破壊的読取りサイクルを支持している。好ましい実施態様では、本発明のデバイスは、多数の異なっており且つ識別可能な酸化状態を有する保存媒体と電気的に結合した固定電極を含んでおり、その際データは、上記の電気的に結合した電極を介して1個若しくはそれより多くの電子を上記保存媒体に付加するか又は媒体から除去することによって上記酸化状態で保存される。

請求項（抜粋）：

固定電極を含むデータ保存装置であって、該固定電極は、異なり識別可能である複数の酸化状態を有する保存媒体と電気的に結合しており、データが、該電気的に結合した電極を介して前記保存媒体から1個以上の電子を付加または引き出すことにより前記酸化状態で保存されることを特徴とする、データ保存装置。

IPC (2件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 27/115

Fターム (7件)：

5F083EP01 ,  5F083EP21 ,  5F083ER01 ,  5F083GA09 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平2-060166
  
• スイッチング素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-187357   出願人：日本電気株式会社
• 電子移動型素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-266517   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-257682
  
• 特開昭62-011159