電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-253105
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091581
出願日： 1998年09月07日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】電気光学装置において、比較的簡単な構成を用いて、画素部のTFTのチャネル領域やチャネル隣接領域における入射光や戻り光に対する遮光性能を高める。【解決手段】電気光学装置は、一対の基板間に挟持された電気光学物質層(50)と、TFTアレイ基板(10)にマトリクス状に設けられた画素電極(9a)とを備える。TFT(30)の下側には、第1遮光膜(11a)が設けられている。データ線(6a)は、遮光性の材料からなり、TFTのチャネル領域(1a’)及びチャネル隣接領域(1a”)を対向基板(20)の側から見て夫々覆う主配線部と、この主配線部の縁から層間絶縁膜に形成された溝に向けて伸びておりチャネル隣接領域を側方から囲む側方遮光部(6b)とを有する。

請求項（抜粋）：

一対の第1及び第2基板間に電気光学物質が挟持されてなり、該第1基板上に、マトリクス状に配置された複数の画素電極と、該複数の画素電極を夫々駆動する複数の薄膜トランジスタと、該複数の薄膜トランジスタに夫々接続されており相交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、前記複数の薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域を前記第1基板の側から見て夫々覆う位置に設けられた遮光膜と、該遮光膜、前記半導体層、前記走査線及び前記データ線を構成する各層間に夫々介在する層間絶縁膜とを備えており、前記データ線は、遮光性の材料からなり、前記薄膜トランジスタ毎に少なくとも前記チャネル領域及び前記チャネル領域に隣接する前記半導体層のチャネル隣接領域を前記第2基板の側から見て夫々覆うと共に長手方向に伸びる主配線部を有しており、前記層間絶縁膜の前記データ線よりも前記第1基板に近い側にある部分には、前記薄膜トランジスタ毎に少なくとも前記チャネル隣接領域に対向する箇所における前記主配線部の縁に対向する位置に溝が形成されており、前記データ線は、前記薄膜トランジスタ毎に前記主配線部の縁から前記溝に向けて伸びており少なくとも前記チャネル隣接領域を前記溝側から部分的に囲む側方遮光部を更に有することを特徴とする電気光学装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500 , G09F 9/30 338 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 619 B , G02F 1/136 500 , G09F 9/30 338 , H01L 29/78 616 A

Fターム (71件)：

2H092JA24 , 2H092JA25 , 2H092JB23 , 2H092JB32 , 2H092JB52 , 2H092JB56 , 2H092MA15 , 2H092MA17 , 2H092NA25 , 2H092PA01 , 2H092RA05 , 5C094AA02 , 5C094AA16 , 5C094AA25 , 5C094AA43 , 5C094BA03 , 5C094BA16 , 5C094CA19 , 5C094CA20 , 5C094CA24 , 5C094DA13 , 5C094DB04 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094EA10 , 5C094ED15 , 5C094FA01 , 5C094FA02 , 5C094FB02 , 5C094FB12 , 5C094FB15 , 5C094GB10 , 5F110AA06 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC06 , 5F110CC07 , 5F110DD03 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF32 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG32 , 5F110GG47 , 5F110GG52 , 5F110HM14 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN26 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN42 , 5F110NN45 , 5F110NN46 , 5F110NN47 , 5F110NN54 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP33 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体薄膜を用いた光弁装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-009586 出願人：セイコー電子工業株式会社
特開昭58-012353

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