特許

J-GLOBAL ID：200903078839979040

電力用半導体素子

発明者： 齋藤 渉 ,  大村 一郎 ,  大橋 弘通
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-139071
公開番号（公開出願番号）：特開2004-342907
出願日： 2003年05月16日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：

【課題】高アバランシェ耐量を有し高耐圧で、低オン抵抗を実現した電力用半導体素子を提供する。【解決手段】ノンドープGaN層12と、ノンドープGaN層12上に形成されたn形AlGaN層13と、n形AlGaN層13上に離隔して形成されたソース電極14及びドレイン電極15と、ソース電極14とドレイン電極15との間のn形AlGaN層13上に形成されたゲート電極16と、ゲート電極16とドレイン電極15との間のn形AlGaN層13上に形成されたノンドープGaN層17とを有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1の半導体層と、 前記第1の半導体層上に形成された第1導電型の第2の半導体層と、 前記第2の半導体層上に離隔して形成された第1、第2の主電極と、 前記第1の主電極と前記第2の主電極との間の前記第2の半導体層上に形成された制御電極と、 前記制御電極と前記第2の主電極との間の前記第2の半導体層上に形成された第3の半導体層と、 を具備することを特徴とする電力用半導体素子。

IPC (3件)：

H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

FI (2件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/80 Q

Fターム (9件)：

5F102FA01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM06 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR12 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-373612   出願人：松下電器産業株式会社