特許
J-GLOBAL ID：200903017066361700
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-373612
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230407
出願日： 2000年12月07日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 窒化ガリウム系半導体による電界効果トランジスタのリーク電流を低減し、耐圧特性を改善出来る半導体装置を提供する。【解決手段】 基板101と基板101の上に形成された表面がGa原子のc面であるGaNを含むバッファ層102と、バッファ層102の上に形成された表面がGa又はIn原子のc面であるGaN又はInGaNを含むチャネル層103と、チャネル層103の上に形成された表面がAl又はGa原子のc面であるAlGaNを含む電子供給層104と、電子供給層104の上に形成されたソース電極106ドレイン電極108と、ソース電極106、ドレイン電極108の間に形成されたGa又はIn原子のc面であるGaN又はInGaAlNを含むキャップ層105と、キャップ層105に接するように形成されたゲート電極を備える。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板の上に形成されたGaNを含むバッファ層であって、該バッファ層の表面がGa原子のc面である、バッファ層と、該バッファ層の上に形成されたGaNまたはInGaNを含むチャネル層であって、該チャネル層の表面がGaまたはIn原子のc面である、チャネル層と、該チャネル層の上に形成されたAlGaNを含む電子供給層であって、該電子供給層の表面がAlまたはGa原子のc面である、電子供給層と、該電子供給層の上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、該ソース電極と該ドレイン電極との間に形成されたGaNまたはInGaAlNを含むキャップ層であって、該キャップ層の表面はGaまたはIn原子のc面であり、該キャップ層の少なくとも一部が該電子供給層に接する、キャップ層と、少なくとも一部が該キャップ層に接するように形成されたゲート電極と、を備えた半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
