特許
J-GLOBAL ID：200903078850635883
固体撮像素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (5件)：
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 栗宇 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-282877
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119796
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】高速転送が可能で低消費電力の固体撮像素子を提供する。【解決手段】半導体基板表面に、ゲート酸化膜を介して配列形成される複数の電荷転送電極が、金属を含み、前記電荷転送電極間に配設される電極間絶縁膜が、前記電荷転送電極の表面が酸化されない条件で成膜可能な第1の絶縁膜5と、前記第1の絶縁膜の上層に形成され、前記電荷転送電極間に充填されるように形成され、前記第1の絶縁膜と異なる第2の絶縁膜6とで構成されていることを特徴とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基板表面に、ゲート酸化膜を介して配列形成される複数の電荷転送電極が、金属を含み、
前記電荷転送電極間に配設される電極間絶縁膜が、前記電荷転送電極の表面が酸化されない条件で成膜可能な第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の上層に前記電荷転送電極間に充填されるように形成され、前記第1の絶縁膜と異なる第2の絶縁膜とを具備したことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (17件)：
4M118AA02
, 4M118AA04
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA13
, 4M118CA03
, 4M118CA20
, 4M118DA13
, 4M118DA20
, 4M118EA01
, 4M118FA06
, 4M118FA26
, 4M118FA33
, 4M118GB03
, 4M118GC07
, 4M118GD04
, 4M118GD07
