特許

J-GLOBAL ID：200903078857335028

集積回路配線のためのダマシーンキャップ層法

発明者： グォキアン ジン ,  ピン ジァン
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-199866
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100870
出願日： 2002年07月09日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 低k誘電体層とハードマスク層との間のエッチング速度選択性を改良することにより集積回路に銅配線を形成する改良法を提供する。【解決手段】 一つ以上の電子装置を有する珪素基体上に第一誘電体層10を形成し、前記第一誘電体層の上に比誘電率が3.0より小さな第二誘電体層40を形成し、前記第二誘電体層の上に、アルミ化チタン、窒化アルミニウムチタン、窒化チタン、窒化アルミニウム、アルミ化タンタル、及び窒化アルミニウムタンタルからなる群から選択された材料からなるキャップ層50を形成し、前記第一誘電体層中にトレンチを形成し、そして前記トレンチを伝導性材料90で充填する配線形成法。

請求項（抜粋）：

一つ以上の電子装置を有する珪素基体を与え、前記珪素基体上に第一誘電体層を形成し、前記第一誘電体層の上に比誘電率が3.0より小さな第二誘電体層を形成し、前記第二誘電体層の上に、アルミ化チタン(TiAl)、窒化アルミニウムチタン(TiAlN)、窒化チタン(TiN)、窒化アルミニウム(AlN)、アルミ化タンタル(TaAl)、及び窒化アルミニウムタンタル(TaAlN)からなる群から選択された材料からなるキヤップ層を形成し、前記第一誘電体層中にトレンチを形成し、そして前記トレンチを伝導性材料で充填する、ことを包含する配線形成法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/302 105 A

Fターム (21件)：

5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DB08 ,  5F004DB12 ,  5F004DB23 ,  5F004EA05 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ25 ,  5F033RR06 ,  5F033RR25

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法及び絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-274620   出願人：松下電器産業株式会社