特許
J-GLOBAL ID：200903041301648832

半導体装置の製造方法及び絶縁膜の形成方法

発明者：
青井 信雄

青井 信雄 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-274620
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106357
出願日： 1998年09月29日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：
【要約】【課題】 有機絶縁膜に対してエッチングを行なっても、有機絶縁膜が酸化しないようにする。【解決手段】 半導体基板100上に、第1の金属配線101、シリコン窒化膜102、有機成分を主成分とする第1の有機膜103、シリコン酸化膜104、有機成分を主成分とし且つパターン化された第2の有機膜105A、窒化チタン膜からなるマスクパターン108を形成した後、シリコン酸化膜104に対してエッチングを行なってパターン化されたシリコン酸化膜104Aを形成する。次に、パターン化された第2の有機膜105A及び第1の有機膜103に対して、H2O プラズマを用いるドライエッチングをそれぞれ行なって、パターン化された第2の有機膜105Aに配線溝111を形成すると共に、コンタクトホール110を有するパターン化された第1の有機膜103Aを形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に有機成分を主成分とする有機絶縁膜を堆積する工程と、前記有機絶縁膜に対してH2O プラズマによりエッチングを行なって、前記有機絶縁膜をパターン化する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/314
FI (4件)：
H01L 21/302 N ,  H01L 21/312 A ,  H01L 21/314 A ,  H01L 21/265 Y
Fターム (26件)：
5F004AA08 ,  5F004BB11 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB12 ,  5F004DB23 ,  5F004DB25 ,  5F004EA01 ,  5F004EA06 ,  5F004EB01 ,  5F058AA10 ,  5F058AB10 ,  5F058AD02 ,  5F058AD09 ,  5F058AD10 ,  5F058AD11 ,  5F058AE02 ,  5F058AF01 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG02 ,  5F058AG04 ,  5F058AG06 ,  5F058AH02
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 有機膜のエッチング方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-109083   出願人：松下電子工業株式会社
  • ポリマー基材の状態調整方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-095168   出願人：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン
  • 特開昭58-087824

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