特許

J-GLOBAL ID：200903078863936610

半導体レーザ駆動装置

発明者： 杉村 圭一
出願人/特許権者： リコー光学株式会社
代理人 (1件)： 樺山 亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-252495
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116115
出願日： 1994年10月18日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】この発明は、LDのI-L特性の環境温度、経年変化や個々のLDに対して適正なバイアス電流を調整工程を設けることなく自動的に設定できて安価に実現できるようにすることを目的とする。【構成】 この発明は、LDのIaに対するPa、Ibに対するPbからバイアス電流初期値Ibs1及びスイッチング電流初期値Isw1を、Ibs1≒Ia-(Pa+C)/(Pb-Pa)×(Ib-Ia)、Isw1≒(Pb+C)/(Pb-Pa)×(Ib-Ia)、C:-Pa≦C≦(Ia×Pb-Ib×Pa)/(Ib-Ia)なる実数とする制御手段11,8,10を備えたものである。

請求項（抜粋）：

半導体レ-ザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レ-ザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを有し、前記半導体レ-ザをスイッチング駆動するにあたり、前記半導体レ-ザにバイアス電流を与える半導体レ-ザ駆動装置において、前記半導体レ-ザの発する光量を第2の所定の光量Pbにするにあたり、前記バイアス電流回路によって前記半導体レ-ザに流すバイアス電流初期値をIbs1、前記スイッチング電流回路によって前記半導体レ-ザに流すスイッチング電流初期値をIsw1とし、かつ、前記半導体レ-ザの発する光量が第2の所定の光量Pbより小さい第1の所定の光量Paになるときの前記半導体レ-ザに流れる電流をIa、前記半導体レ-ザの発する光量が第2の所定の光量Pbになるときの前記半導体レ-ザに流れる電流量をIbとしたときに、Ibs1及びIsw1をIbs1≒Ia-(Pa+C)/(Pb-Pa)×(Ib-Ia)Isw1≒(Pb+C)/(Pb-Pa)×(Ib-Ia)C:-Pb≦C≦(Ia×Pb-Ib×Pa)/(Ib-Ia)なる実数とする制御手段を備えたことを特徴とする半導体レ-ザ駆動装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 光出力制御回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-320757   出願人：富士通株式会社
• 特開平2-072686
  
• 注入レ-ザ変調方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-215122   出願人：ノーザン・テレコム・リミテッド
• 特開平2-072686