特許
J-GLOBAL ID:200903078881039880

ウエハ処理リアクタにおける基板支持用シールド

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-272879
公開番号(公開出願番号):特開平8-255760
出願日: 1995年10月20日
公開日(公表日): 1996年10月01日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 全体のウエハ面を処理することを許容し、かつ、同時にウエハを均一に加熱する。【解決手段】 シャワーヘッド30の下方で、鉛直に移動可能なサセプタ26上に装着されたウエハ28を処理するためのCVD装置。サセプタ26はウエハ28の外周を越えて延びており、サセプタ26が持ち上げられて、通常はチャンバ24内のリングサポート上に置かれるシールドリング40と接触するとき、当該シールドリング40はウエハ28の周辺を越えるサセプタ26の外部に係合し、そのサポートから離れてシールドリング40を持ち上げる。シールドリング40は、処理中、サセプタ26の頂面の端部をシールドし、もって、サセプタ26上に不要な堆積が防止される一方、同時に、ウエハ28の全上面にわたり堆積を許容する。
請求項(抜粋):
ある直径を有する基板を処理する為の装置であって、(a)基板処理チャンバを画成するハウジングと、(b)処理の為に露出した一面を備える基板を受容および支持するために、チャンバ内に配置され、当該基板の直径より大きい直径を有するサセプタと、(c)本体およびサセプタの環状周辺部に突出するルーフを含むサセプタ制限シールドであって、当該本体は、内部に当該サセプタを受容する寸法で形成された第1サセプタ受容穴を画成し、当該ルーフは、当該基板の直径より大きい直径を有する第2の穴を画成する前記シールドと、(d)当該サセプタの中央に支持された基板が第2の穴を介して処理環境に露出されるように、当該サセプタを当該シールドに関して当該基板の露出面に対し直交する対称の軸に沿って当該第1の穴へと移動させて突出しているルーフに係合させるサセプタ昇降機と、を備える装置。
IPC (4件):
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/68
FI (4件):
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 H ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/68 N
引用特許:
審査官引用 (1件)

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