特許

J-GLOBAL ID：200903078890206756

複数の半導体装置を備えた半導体ウェハ

発明者： 小邑 篤 ,  田村 宗生 ,  杉浦 和彦 ,  藤井 哲夫
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 田下 明人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-022807
公開番号（公開出願番号）：特開2007-207871
出願日： 2006年01月31日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：

【課題】 製品の歩留まりや品質を向上し得る複数の半導体装置を備えた半導体ウェハおよびそのダイシング方法を提供する。【解決手段】 ウェハ20aでは、レーザ光の照射面にウェハ20aの外周まで延びて形成される平坦部21aを有する。このため、レーザ光Lが入射する割断線DL上には平坦部21aが形成されていることから、ウェハ20aに照射されるレーザ光Lを、ウェハ20aの外周縁部Mにおいても表面21bに垂直に入射させることができる。これにより、ウェハ20aの外周縁部Mの表面21bで焦点が合うことがないため、外周縁部Mにおけるアブレーションを防ぐことができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

レーザ光の照射により改質層を形成し、この改質層による割断によってそれぞれ分離され得る複数の半導体装置を備えた半導体ウェハにおいて、 前記レーザ光が照射されるべき当該半導体ウェハの表面に当該半導体ウェハの外周まで延びて形成される平坦部を有することを特徴とする複数の半導体装置を備えた半導体ウェハ。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/304

FI (4件)：

H01L21/78 L ,  H01L21/78 B ,  H01L21/304 621B ,  H01L21/304 622W

引用特許：

出願人引用 (2件)

• レーザ加工装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-278707   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• レーザ加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-099258   出願人：浜松ホトニクス株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-155881   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• ウェーハの加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-271320   出願人：株式会社東京精密