特許
J-GLOBAL ID:200903078895115945
可飽和吸収チップとその製造方法及び可飽和吸収チップを用いたデバイス
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-112145
公開番号(公開出願番号):特開2004-280028
出願日: 2003年03月13日
公開日(公表日): 2004年10月07日
要約:
【課題】CNTを用いて可飽和吸収チップを構成するが、これまでは、機械的に脆弱な状態であって、大量生産に不向きな構造となっていた。しかも、可飽和吸収特性についても改善の余地があった。【解決手段】本発明では、機械的に脆弱であった構造を、2枚の光学材料を用いることで強化したもので、併せて、この光学材料を用いることで大量生産に適した、しかも、反射損失を抑え安定した可飽和吸収特性を有するチップ構造とした可飽和吸収チップ、その製造方法、および可飽和吸収チップを用いた可飽和吸収デバイスの提供を実現したものである。【選択図】図1
請求項(抜粋):
透明な光学材料を用いた2枚の基板を用い、その間にカーボンナノチューブを挟み、紫外線硬化樹脂で固定することにより構成したことを特徴とする可飽和吸収チップ。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (16件):
2K002AA02
, 2K002BA01
, 2K002CA02
, 2K002DA06
, 2K002EA04
, 2K002HA30
, 4G061AA20
, 4G061AA25
, 4G061BA07
, 4G061CA02
, 4G061CB04
, 4G061CB07
, 4G061CB12
, 4G061CB16
, 4G061CD02
, 4G061CD19
引用特許:
審査官引用 (1件)
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光学素子およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-320383
出願人:独立行政法人産業技術総合研究所, 富士ゼロックス株式会社
引用文献:
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