特許
J-GLOBAL ID:200903078895782585
光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-261576
公開番号(公開出願番号):特開2007-070554
出願日: 2005年09月09日
公開日(公表日): 2007年03月22日
要約:
【課題】紫外光においても劣化が少なく、耐湿性に優れた光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。【解決手段】エポキシ基含有アルコキシケイ素化合物を、共加水分解縮合させることにより得られるエポキシ樹脂(A)、一般式(3)で表されるエポキシ樹脂の芳香環を核水素化して得られる水素化エポキシ樹脂(B)、硬化剤(C)及び硬化促進剤(D)を含有する光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【選択図】なし
請求項(抜粋):
一般式(1)で表されるアルコキシケイ素化合物同士を、又は一般式(1)で表されるアルコキシケイ素化合物と一般式(2)で表されるアルコキシケイ素化合物とを、共加水分解縮合させることにより得られるエポキシ樹脂(A)、
[化1]
XSi(R1)a(OR2)3-a (1)
(式中、Xはエポキシ基を含む置換基、R1は炭素数1〜14の置換若しくは非置換のアルキル基、炭素数6〜14のアリール基又は炭素数3〜5のアルケニルカルボキシ基を示し、R2は炭素数1〜4のアルキル基を示し、aは0〜2の整数を示し、R1が複数ある場合、複数のR1は互いに同一であっても異なっていてもよい。)
[化2]
Xk(R3)bSi(OR4)4-(k+b) (2)
(式中、Xはエポキシ基を含む置換基、R3は炭素数1〜14の置換若しくは非置換のアルキル基又は炭素数6〜14のアリール基を示し、R4は炭素数1〜4のアルキル基を示し、k及びbは0〜3の整数であり、k+bは0〜3であり、R3が複数ある場合、複数のR3は互いに同一であっても異なっていてもよい。);
一般式(3)で表されるエポキシ樹脂の芳香環を核水素化して得られる水素化エポキシ樹脂(B)、
IPC (4件):
C08G 59/30
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08G 77/18
FI (3件):
C08G59/30
, H01L23/30 F
, C08G77/18
Fターム (50件):
4J036AA05
, 4J036AF19
, 4J036AK17
, 4J036DA01
, 4J036DA02
, 4J036HA02
, 4J036JA07
, 4J036KA01
, 4J246AA03
, 4J246AB13
, 4J246BA12X
, 4J246BA14X
, 4J246BA170
, 4J246BB02X
, 4J246BB020
, 4J246BB022
, 4J246CA14X
, 4J246CA140
, 4J246CA23X
, 4J246CA230
, 4J246CA25X
, 4J246CA250
, 4J246CA270
, 4J246CA68X
, 4J246CA680
, 4J246CA69X
, 4J246CA690
, 4J246FA081
, 4J246FA131
, 4J246FA431
, 4J246FC061
, 4J246FE04
, 4J246FE32
, 4J246FE34
, 4J246FE35
, 4J246GA01
, 4J246GA04
, 4J246GA20
, 4J246GB01
, 4J246GD08
, 4J246HA28
, 4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109CA21
, 4M109EA03
, 4M109EB02
, 4M109EB04
, 4M109EC01
, 4M109EC15
, 4M109GA01
引用特許:
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