特許

J-GLOBAL ID：200903078896499755

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 遠藤 誠一 ,  石井 元治
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-274728
公開番号（公開出願番号）：特開2005-039067
出願日： 2003年07月15日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：

【課題】 電気的にデータを消去可能で、かつ低電圧でのデータの書き込みが容易な不揮発性半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の不揮発性半導体記憶装置は、主表面を有する半導体基板1と、半導体基板1の主表面に形成されたソース/ドレインとなる1対のp型不純物拡散領域3、3と、1対のp型不純物拡散領域3、3に挟まれる半導体基板1の領域の上にトンネル絶縁層4aを介して形成されたフローティングゲート5と、半導体基板1の主表面に形成された、フローティングゲート5の電位を制御するための制御用不純物拡散領域6とを備えている。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

主表面を有する半導体基板と、 前記半導体基板の主表面に形成されたソース/ドレインとなる1対のp型不純物拡散領域と、 前記1対のp型不純物拡散領域に挟まれる前記半導体基板の領域の上にトンネル絶縁層を介して形成されたフローティングゲートと、 前記半導体基板の主表面に形成された、前記フローティングゲートの電位を制御するための制御用不純物拡散領域とを備えた、不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

FI (2件)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434

Fターム (16件)：

5F083EP03 ,  5F083EP13 ,  5F083EP22 ,  5F083ER02 ,  5F083ER14 ,  5F083ER30 ,  5F083NA02 ,  5F083NA03 ,  5F083NA04 ,  5F101BA02 ,  5F101BA12 ,  5F101BB06 ,  5F101BC02 ,  5F101BC11 ,  5F101BE02 ,  5F101BE07

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 単層の多結晶シリコン層を有するフラッシュE▲上2▼PROMセル
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平6-502413   出願人：ラティス・セミコンダクター・コーポレイション
• 特開平3-57280号公報