特許

J-GLOBAL ID：200903078910829402

半導体ナノ粒子及びその製造方法

発明者： 佐藤 恵一 ,  桑畑 進
出願人/特許権者： 日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社
代理人 (3件)： 平木 祐輔 ,  渡辺 敏章 ,  関口 鶴彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-063131
公開番号（公開出願番号）：特開2004-243507
出願日： 2003年03月10日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】容易に調製できる、優れた蛍光特性を持つ水溶性半導体ナノ粒子を提供する。【解決手段】半導体ナノ粒子コア表面に電子供与性基が配列し、蛍光特性を有し、水溶性を有することを特徴とする半導体ナノ粒子、及び半導体ナノ粒子に1種以上の電子供与性基を与える表面処理材料を加え、半導体ナノ粒子コア表面に電子供与性基を配列させることを特徴とする、蛍光特性を有し、水溶性を有する半導体ナノ粒子の製造方法。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体ナノ粒子コア表面に電子供与性基が配列し、蛍光特性を有することを特徴とする、半導体ナノ粒子。

IPC (12件)：

B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C09K11/02 ,  C09K11/08 ,  C09K11/55 ,  C09K11/56 ,  C09K11/64 ,  C09K11/67 ,  C09K11/68 ,  C09K11/70 ,  C09K11/74 ,  C09K11/88

FI (12件)：

B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C09K11/02 ,  C09K11/08 G ,  C09K11/55 ,  C09K11/56 ,  C09K11/64 ,  C09K11/67 ,  C09K11/68 ,  C09K11/70 ,  C09K11/74 ,  C09K11/88

Fターム (23件)：

4H001CA02 ,  4H001CC13 ,  4H001XA07 ,  4H001XA08 ,  4H001XA12 ,  4H001XA13 ,  4H001XA14 ,  4H001XA15 ,  4H001XA16 ,  4H001XA22 ,  4H001XA25 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA32 ,  4H001XA33 ,  4H001XA34 ,  4H001XA48 ,  4H001XA49 ,  4H001XA51 ,  4H001XA52 ,  4H001XA74 ,  4H001XA80 ,  4H001XA82

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 水溶性蛍光半導体ナノ結晶
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-571265   出願人：マサチューセッツインスティテュートオブテクノロジー
• 半導体超微粒子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-182747   出願人：三菱化学株式会社
• アミノ基を結合してなる半導体超微粒子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-226558   出願人：三菱化学株式会社
• エタノール可溶性半導体超微粒子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-313367   出願人：三菱化学株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Synthesis and Isolation of a Homodimer of Cadmium Selenide Nanocrystals