特許
J-GLOBAL ID:200903078914268928
シリコン系薄膜光電変換装置用裏面電極、およびそれを備えたシリコン系薄膜光電変換装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-183474
公開番号(公開出願番号):特開2001-015780
出願日: 1999年06月29日
公開日(公表日): 2001年01月19日
要約:
【要約】【課題】向上した変換効率を有するシリコン系薄膜光電変換装置を提供し得る裏面電極を提供する。【解決手段】本裏面電極(12)は、光反射性金属膜(121)を含む。この光反射性金属膜(121)は、気相堆積後にエッチング処理されて前面側に表面凹凸構造を有する。
請求項(抜粋):
シリコン系光電変換装置に用いられる裏面電極であって、光反射性金属膜を含み、該光反射性金属膜は、気相堆積後にエッチング処理されて前面側に表面凹凸構造を有することを特徴とするシリコン系光電変換装置用裏面電極。
FI (2件):
H01L 31/04 H
, H01L 31/04 M
Fターム (8件):
5F051AA03
, 5F051AA04
, 5F051AA05
, 5F051CB21
, 5F051FA02
, 5F051FA06
, 5F051FA15
, 5F051FA19
引用特許:
審査官引用 (3件)
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光起電力素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-013364
出願人:キヤノン株式会社
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光起電力素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-282350
出願人:キヤノン株式会社
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薄膜光電変換装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-242126
出願人:鐘淵化学工業株式会社
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