特許
J-GLOBAL ID：200903078922532359
スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド及びスピンバルブ型薄膜磁気素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-100642
公開番号（公開出願番号）：特開2000-293821
出願日： 1999年04月07日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 フリー磁性層の磁区制御を良好に行うことができる安定性に優れたスピンバルブ型薄膜磁気素子を提供する。【解決手段】 フリー磁性層12と非磁性導電層13と固定磁性層14とからなる積層体10と、積層体10の両側に位置してフリー磁性層12の磁化方向を揃えるバイアス層16と、交換結合磁界により固定磁性層14の磁化方向を固定する反強磁性層18と、フリー磁性層12に検出電流を与える一対の導電層20とを備え、バイアス層16は、基板7上に設けられて積層体10と同じ階層に位置され、反強磁性層18は、バイアス層16の少なくとも一部と積層体10に接して積層されていることを特徴とするスピンバルブ型薄膜磁気素子1を採用する。
請求項（抜粋）：
基板上にフリー磁性層と非磁性導電層と固定磁性層とが少なくとも積層されてなる積層体と、前記積層体の両側に位置して前記フリー磁性層の磁化方向を一方向に揃える一対のバイアス層と、前記固定磁性層に接して、交換結合磁界により前記固定磁性層の磁化方向を前記フリー磁性層の磁化方向に対して交差する方向に固定する反強磁性層と、前記フリー磁性層に検出電流を与える一対の導電層とを具備してなり、前記一対のバイアス層は、前記基板上に設けられて前記積層体と同じ階層に位置され、前記反強磁性層は、前記バイアス層の少なくとも一部と前記積層体に接して積層されていることを特徴とするスピンバルブ型薄膜磁気素子。
Fターム (3件)：
5D034BA03
, 5D034BB01
, 5D034DA07
