特許
J-GLOBAL ID：200903078926219418
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
寺山 啓進
, 三好 広之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-063354
公開番号（公開出願番号）：特開2007-288160
出願日： 2007年03月13日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：
【課題】長時間半導体レーザ素子を駆動しても、駆動電流の増加を抑制することができる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】半導体レーザ装置1は、パッケージ2と、サブマウント3と、半導体レーザ素子4とを備えている。パッケージ2は、キャップ11と、窓部材12と、ステム13とを備えている。パッケージ2内の水分濃度は、2500ppm以下にされている。また、キャップ11の内面の算術平均粗さは、0.3μm以下にされている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
気密封止するためのパッケージと、前記パッケージ内に設けられた半導体レーザ素子とを備えた半導体レーザ装置において、
前記パッケージの内部の水分濃度が、2500ppm以下であり、
前記パッケージの内面の少なくとも一部の算術平均粗さが、0.3μm以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F173AH22
, 5F173AR96
, 5F173MB01
, 5F173MC04
, 5F173MD05
, 5F173ME03
, 5F173ME11
, 5F173ME22
