特許
J-GLOBAL ID：200903078934314004
化合物半導体電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-334585
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168107
出願日： 1997年12月04日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：
【要約】【課題】 トランジスタの高速性を失うことなくドレイン・ゲート間の耐圧が向上した化合物半導体電解効果トランジスタを提供する。【解決手段】 ゲート電極で覆われていないチャネル領域であるアンゲート部をゲート電極とドレインとの間に持つ化合物半導体電界効果トランジスタにおいて、該アンゲート部に複数個のアイソレーション領域がチャネル電流方向に設けられ、該アイソレーション領域がゲート電極と接しているようにする。
請求項（抜粋）：
ゲート電極で覆われていないチャネル領域であるアンゲート部をゲート電極とドレインとの間に持つ化合物半導体電界効果トランジスタにおいて、該アンゲート部に複数個のアイソレーション領域がチャネル電流方向に設けられ、該アイソレーション領域がゲート電極と接していることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
