特許

J-GLOBAL ID：200903078938769456

電界効果型トランジスタおよびその製造方法

発明者： 中山 寛晴 ,  三浦 大祐
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-084465
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319982
出願日： 2004年03月23日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】 簡便な方法で得られる、電界効果移動度が大きい電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】 式(1)で表される有機溶媒可溶性ポルフィリン化合物の塗膜を180〜250°Cの加熱により変換して得られる式(2)で表されるベンゾポルフィリン化合物の結晶化膜からなる有機半導体層を有し、該有機半導体層が膜厚30〜150nm、結晶粒の最大径が1μm以上であり、かつ660nm以上に強い吸収を持つ電界効果型トランジスタ。(式中、R1 、R2 は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、または炭素数1以上12以下のアルキル基、R3 は水素原子またはアリール基、Mは2個の水素原子もしくは金属原子あるいは金属酸化物を示す。)【化1】【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)

IPC (3件)：

H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

FI (4件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28

Fターム (48件)：

5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE41 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK10 ,  5F110HK13 ,  5F110HK14 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電界効果トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-264313   出願人：三菱電機株式会社
• インバータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-057574   出願人：三菱電機株式会社, 住友化学工業株式会社
• 有機電子デバイス及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-104639   出願人：三菱化学株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 逆Diels-Alder反応を利用した共役拡張ポルフィリン類の合成