特許

J-GLOBAL ID：200903078951167120

フッ素添加シリカ薄膜を付着させる方法

発明者： シュレ カラン ,  ラカン パスカル ,  ボスマン リシャール
出願人/特許権者： エシロール アテルナジオナール カンパニー ジェネラーレ デ オプティック
代理人 (2件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-516822
公開番号（公開出願番号）：特表2004-505179
出願日： 2001年07月31日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

本発明は、基質表面上に酸化シリコン薄膜を形成するための酸化シリコンの蒸発と、前記酸化シリコン薄膜の形成中における、ポリフルオロカーボン系化合物及び希ガス双方に由来する正のイオンのビームによる前記酸化シリコン薄膜の衝撃(たたくこと)と、を含む方法に関する。本発明は、屈折率の低い反射よけの薄膜の製造に有用である。

請求項（抜粋）：

a)シリコン及び/または酸化シリコンの蒸発と、b)基質表面上に酸化シリコン薄膜を形成するための、前記基質表面において蒸発させたシリコン及び/または酸化シリコンの付着と、c)前記酸化シリコン薄膜の形成中に、ポリフルオロカーボン系化合物または複数のポリフルオロカーボン系化合物の混合に由来する正のイオンのビームで酸化シリコン薄膜に与える衝撃(たたくこと)と、を含むフッ素添加シリカ薄膜(SiOx Fy )の基質表面への付着の方法であり、 前記酸化シリコン薄膜の形成中に、希ガスまたは複数の希ガスの混合に由来する正のイオンのビームによってもまた、酸化シリコン薄膜に衝撃が与えられることを特徴とする、フッ素添加シリカ薄膜(SiOx Fy )の基質表面への付着方法。

IPC (5件)：

C23C14/22 ,  C23C14/06 ,  C23C14/46 ,  C23C14/48 ,  G02B1/11

FI (5件)：

C23C14/22 A ,  C23C14/06 K ,  C23C14/46 B ,  C23C14/48 D ,  G02B1/10 A

Fターム (17件)：

2K009AA02 ,  2K009BB01 ,  2K009CC21 ,  2K009DD07 ,  4K029AA11 ,  4K029BA41 ,  4K029BA46 ,  4K029BA64 ,  4K029BC08 ,  4K029BD00 ,  4K029CA09 ,  4K029DB05 ,  4K029DE02 ,  4K029EA00 ,  4K029EA01 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-202461
  
• 石英系ガラス膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-147496   出願人：日立電線株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Inhomogeneous refractive index of SiOxFy thin films prepared by ion beam assisted deposition