特許
J-GLOBAL ID：200903078954076622
プラズマCVD装置に於けるガスクリーニング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-206035
公開番号（公開出願番号）：特開平8-049080
出願日： 1994年08月08日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】ガスクリーニング方法に於いてエッチングされた膜の再付着の抑制、エッチング分布の不均一の改善を図る。【構成】エッチングガスを導入し、高周波電力を供給してプラズマを発生させプラズマエッチングによりガスクリーニングを行うガスクリーニング方法に於いて、ガスクリーニング時の圧力を変動させ、膜の再付着を抑制し、エッチング分布の不均一を改善し、ガスクリーニング時間の短縮を図る。
請求項（抜粋）：
エッチングガスを導入し高周波電力を供給してプラズマを発生させ、プラズマエッチングによりガスクリーニングを行うガスクリーニング方法に於いて、ガスクリーニング時の圧力を変動させることを特徴とするプラズマCVD装置に於けるガスクリーニング方法。
IPC (5件)：
C23C 16/50
, C23C 16/44
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H01L 21/304 341
