特許
J-GLOBAL ID：200903078957960701
高耐圧電力用半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-050745
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321877
出願日： 1998年03月03日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】必要な耐圧を確保するために、厚いn型カソード基板を使用しても、順方向電圧降下、逆回復損失等の素子特性の劣化を防止できる高耐圧電力用半導体装置を実現する。【解決手段】n型カソード層1の表面または裏面に凹部を形成し、この凹部が形成された厚さの薄い領域にp型アノード層2,3を形成する。さらにp型アノード層2の周囲にp型リサーフ層4を形成する。このとき、p型リサーフ層4の形成される領域に複数の段差が形成されるようにする。
請求項（抜粋）：
第1と第2の主面を有し、前記第1および第2の主面のいずれかに凹部を有する高抵抗の第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の前記凹部が形成された領域に、少なくともその1部が形成された、電界緩和構造を有する電力用半導体素子と、を具備することを特徴とする高耐圧電力用半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/861
, H01L 29/06
, H01L 29/78
H01L 29/91 D
, H01L 29/06
, H01L 29/78 652 P
, H01L 29/78 655 F
, H01L 29/78 655 D
