特許
J-GLOBAL ID:200903078977263209

半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-015002
公開番号(公開出願番号):特開平10-214870
出願日: 1997年01月29日
公開日(公表日): 1998年08月11日
要約:
【要約】【課題】半導体デバイスの製造において、検査結果の管理基準、検査工程、検査領域等を遅滞なく決定し、歩留まり向上を迅速に行うことを目的とする。【解決手段】試作において発生した欠陥の発生領域や発生工程別の歩留まりへの影響度を解析して、陥の発生工程別に致命欠陥のサイズ、発生領域、観察画像、検査手段を事前チェック項目としてまとめ、量産においては該事前チェック項目にもとづいて、検査をおこなうことで上記目的を達成する。
請求項(抜粋):
第一の製造ラインで半導体装置を製造するステップと、該第一の製造ラインに設けられた検査装置により該半導体装置を検査するステップと、該半導体装置の検査結果から製造ライン管理情報を生成するステップと、該生成した製造ライン管理情報に基づいて第二の製造ラインに検査装置を設定するステップと、該第二の製造ラインで半導体装置を製造するステップと、該製造ライン管理情報に基づいて設定した検査装置により該第二の製造ラインで製造される半導体装置を検査するステップとからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件):
H01L 21/66 ,  H01L 21/00
FI (3件):
H01L 21/66 Z ,  H01L 21/66 A ,  H01L 21/00
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 生産工程管理方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-300853   出願人:株式会社日立製作所

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