特許

J-GLOBAL ID：200903079008625957

半導体発光素子

発明者： 小林 康之 ,  赤坂 哲也 ,  牧本 俊樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-247751
公開番号（公開出願番号）：特開2007-066975
出願日： 2005年08月29日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：

【課題】 深い凖位への遷移による発光が抑制されてバンド端発光が支配的となり、室温付近でも高効率発光する、結晶欠陥、結晶転位が生じ難く、かつ立方晶BNの混在が極めて少ない六方晶BN膜を有する半導体発光素子を実現すること。【解決手段】 面方位が(111)面、および(111)面からのずれが±2度以下の面のいずれかの面を主方位面とするニッケル単結晶基板5上に、p型単結晶六方晶窒化ホウ素層6、n型単結晶六方晶窒化ホウ素層8、ニッケル薄膜9の順に形成された構造を有することを特徴とする。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

面方位が(111)面、および(111)面からのずれが±2度以下の面の内のいずれかの面を主方位面とするニッケル単結晶基板上に、p型単結晶六方晶窒化ホウ素層、n型単結晶六方晶窒化ホウ素層、ニッケル薄膜の順に形成された構造を有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/38

FI (3件)：

H01L33/00 A ,  C30B25/02 ,  C30B29/38 A

Fターム (19件)：

4G077BE12 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA02 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F045AA05 ,  5F045AA15 ,  5F045AB15 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AF10 ,  5F045CA10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-024190   出願人：株式会社東芝