特許

J-GLOBAL ID：200903079009961195

磁気光学特性に優れた希薄磁性半導体薄膜及びその製造法

発明者： 今村 正明 ,  安 鎮庸
出願人/特許権者： 学校法人福岡工業大学
代理人 (1件)： 田村 弘明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-127837
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324711
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】 磁気光学特性が優れ、応用範囲の広い希薄磁性半導体薄膜及びその製造法を提供する。【解決手段】 三元系希薄磁性半導体CdMnTe薄膜に第4の元素としてCoを加え、CdMnCoTe薄膜とすることにより、母材CdMnTe中でのバンド電子を媒介とした磁性イオンMn2+間の超交換磁気相互作用によるファラデー回転発生機構に加えて、Mn2+Co2+間のいわゆる局在スピン間磁気相互作用の発生によるファラデー回転特性の大幅な強化を行うことを特徴とする希薄磁性半導体薄膜及びその製造法。【効果】 ファラデー回転特性が-1〜-3度/cm・Gauss と、従来の10倍以上に向上する。

請求項（抜粋）：

CdTe化合物に遷移金属元素Mnを加えた三元系成分に、他の遷移金属元素Mを含有させた四元系希薄磁性半導体薄膜であって、下記式(1)で示す成分(含有量はモル分率)で構成されたことを特徴とする磁気光学特性に優れた希薄磁性半導体薄膜。 (Cd1-x-y Mnx My )0.45〜0.55Te0.45〜0.55 .........(1)ただし、(Cd1-x-y Mnx My )+Te=1M:Co,Cr,Fe,Niのいずれか1種x:0.2〜0.7(モル分率)y:0超〜0.15(モル分率)

IPC (2件)：

H01F 10/16 ,  H01F 10/32

FI (2件)：

H01F 10/16 ,  H01F 10/32

Fターム (3件)：

5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07