半導体チップの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後呂和男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-100923
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284376
出願日： 2000年04月03日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】反り変形を防止することのできる半導体チップの製造方法を提供すること。【解決手段】ウエハ2面上に積層した硬化性樹脂7を硬化させる前に、硬化性樹脂7に溝部10を形成する。これにより、硬化性樹脂7が硬化、収縮する際の応力は相殺され、ウエハ2全体では、反り変形を防止することができる。また、溝部10はダイシングストリート9にあわせて設けられる。このように、切断部分に合わせてあらかじめ溝部10を設けておくことにより、ダイシング作業を容易に行うことができる。

請求項（抜粋）：

半導体素子形成後のウエハ面上に、硬化性樹脂層を設けてなる半導体チップの製造方法であって、少なくとも、(a)前記半導体素子形成後のウエハ面上に硬化前の硬化性樹脂を積層する工程、(b)前記硬化前の硬化性樹脂に溝部を形成する工程、(c)前記硬化性樹脂を硬化させる工程、(d)前記ウエハを所定の大きさに切断して前記半導体チップとする工程を備えることを特徴とする半導体チップの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/56 , H01L 21/301 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/56 E , H01L 21/78 L , H01L 21/90 S

Fターム (17件)：

5F033HH11 , 5F033JJ01 , 5F033KK07 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033MM01 , 5F033PP28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ54 , 5F033RR22 , 5F033SS22 , 5F033TT03 , 5F033VV07 , 5F061AA01 , 5F061CA10 , 5F061CB13

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平1-196856
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-160357 出願人：松下電子工業株式会社

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