特許
J-GLOBAL ID：200903079019931057
薄膜磁気センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-266907
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130338
出願日： 1994年10月31日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：
【要約】【目的】 ワンチップ当たりの磁界検出層の面積を小さく抑えながら、所要の抵抗値を実現することができ、かつ出力のオフセット電圧を抑制すること。【構成】 磁気抵抗効果を有する強磁性薄膜を折り返し形状に形成した2個の強磁性薄膜パターンを備えた磁界検出層3,5を絶縁層4を挟んで基板上1に積層するとともに、該両磁界検出層の間に電気的接続を行なうことによって該4個の強磁性薄膜パターンを合せた抵抗ブリッジ回路を形成した。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果を有する強磁性薄膜を折り返し形状に形成した強磁性薄膜パターンを有する磁界検出層を絶縁層を挟んで基板上に積層するとともに、該両磁界検出層の間に電気的接続を行なうことによって強磁性薄膜パターンを合せた抵抗ブリッジ回路を形成したことを特徴とする薄膜磁気センサ。
IPC (2件)：
引用特許：
審査官引用 (2件)
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特表昭61-502790
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混成集積回路装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-203727
出願人：三菱電機株式会社
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