特許

J-GLOBAL ID：200903079057598167

スペクトル干渉法を用いる膜厚制御

発明者： モーシュ サルファティ ,  ラリーサ バラスブラムハンヤ ,  ジェッド ダヴィドウ ,  ディミトリス リンベロパウロス
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-392867
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244254
出願日： 2000年12月25日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】 プラズマエッチング動作などの基板処理動作を制御するプロセスを提供する。【解決手段】 本発明の方法の一実施形態は、基板処理チャンバ内でプラズマを形成して、チャンバ内に配置されたウェハをエッチングする。そのプラズマ発光が、広帯域光源としてプロセスによって使用される。プラズマエッチングプロセス中、エッチングされるウェハの表面から反射される放射の複数の波長が分光計によって測定される。これらの測定値は次いで、パターン認識技術を使って、以前のプラズマエッチング動作中に取られた以前の測定値と比較される。本発明のある実施形態は、パターン認識を行なうために主成分分析(PCA)技術を使用するが、別の実施形態は、プログラムされた神経網パターン認識技術を使用する。

請求項（抜粋）：

基板処理チャンバの動作を制御する方法であって、前記基板処理チャンバ内へ基板を移動するステップと、前記基板処理チャンバ内に配置される前記基板に対して基板動作を実行するステップと、前記基板処理動作中に前記基板の上面から反射される放射の複数の波長を測定するステップと、その測定波長を、パターン認識技術を用いて以前の基板処理動作中に測定された波長と比較するステップとを含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C23C 16/44 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• フィルム厚測定装置及び測定方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-500860   出願人：マサチューセッツインスティテュートオブテクノロジー
• パターン認識装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-009212   出願人：三菱重工業株式会社
• 特開平4-027120