半導体装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (13件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 米田圭啓 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-137593
公開番号（公開出願番号）：特開2006-318988
出願日： 2005年05月10日
公開日（公表日）： 2006年11月24日
要約：

【課題】モールド樹脂による応力を低減することにより、層間絶縁膜の膜剥がれの発生を防止する。【解決手段】半導体装置は、基板におけるチップ領域に形成された素子と、基板上に形成された複数の層間絶縁膜と、複数の層間絶縁膜のうちの少なくとも1つに形成された配線と、複数の層間絶縁膜のうちの少なくとも1つに形成され、且つ素子と配線とを接続するか又は配線同士を接続するプラグと、複数の層間絶縁膜の上に形成された表面保護膜とを備えている。さらに、チップ領域のコーナー部に存在している表面保護膜を覆うように形成された樹脂保護膜とを備えている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板におけるチップ領域に形成された素子と、前記基板上に形成された複数の層間絶縁膜と、前記複数の層間絶縁膜のうちの少なくとも1つに形成された配線と、前記複数の層間絶縁膜のうちの少なくとも1つに形成され、且つ前記素子と前記配線とを接続するか又は前記配線同士を接続するプラグと、前記複数の層間絶縁膜の上に形成された絶縁膜と、前記チップ領域のコーナー部に存在している前記絶縁膜を覆うように形成された樹脂保護膜とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 23/28

FI (2件)：

H01L21/90 J , H01L23/28 Z

Fターム (16件)：

4M109AA02 , 4M109CA05 , 4M109DB17 , 4M109ED03 , 5F033HH08 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033NN01 , 5F033RR01 , 5F033RR22 , 5F033VV07 , 5F033XX12 , 5F033XX17 , 5F033XX19 , 5F033XX24 , 5F033XX28

引用特許：

出願人引用 (9件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-332844 出願人：株式会社東芝, 東芝エルエスアイ・パッケージソリューション株式会社
特開昭61-269333
特開昭61-171156

全件表示

審査官引用 (8件)

特開昭61-269333
特開昭61-171156
半導体ウエハ及び半導体ウエハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-312834 出願人：沖電気工業株式会社

全件表示

前のページに戻る