特許
J-GLOBAL ID：200903079090211685

波長変換層を有する半導体発光装置およびその製造方法

発明者：
佐藤 弘之

佐藤 弘之 について


出願人/特許権者：
スタンレー電気株式会社

スタンレー電気株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-433351
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191420
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】 携帯電話や携帯情報端末の液晶表示部用バックライトに用いられるような、白色チップLEDなどに複雑な形態の基体を備えた従来品を用いる場合、金型を製作する上で非常に高度な技術が必要となり、結果として白色チップLEDのコストを上昇させてしまうという問題があった。【解決手段】 波長変換層を透過する光と、透過せずに散乱、反射される光とを両方とも外部へ取り出せるような構造の基体及び波長変換層の配置をより簡易なものとした。その結果、従従来の基体を用いつつ、効率の高い小型の白色LEDを安価に量産できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基体と、前記基体に形成された凹部と、前記凹部の底部に戴置された半導体発光素子と、波長変換層とを備える発光装置において、前記凹部底面に第一の波長変換層が形成され、前記半導体発光素子の上方に距離を隔てて第二の波長変換層が形成され、前記凹部は前記半導体発光素子からの発光および前記第一、第二波長変換層から放射される波長変換光を実質的に吸収しない材料を含む封止部が形成されていることを特徴とする発光装置。
IPC (6件)：
H01L33/00 ,  C09K11/56 ,  C09K11/62 ,  C09K11/64 ,  C09K11/80 ,  C09K11/84
FI (6件)：
H01L33/00 N ,  C09K11/56 ,  C09K11/62 ,  C09K11/64 ,  C09K11/80 ,  C09K11/84
Fターム (29件)：
4H001XA08 ,  4H001XA12 ,  4H001XA13 ,  4H001XA16 ,  4H001XA20 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA38 ,  4H001XA39 ,  4H001XA56 ,  4H001XA64 ,  4H001XA65 ,  4H001XA71 ,  4H001YA13 ,  4H001YA24 ,  4H001YA29 ,  4H001YA58 ,  4H001YA60 ,  4H001YA63 ,  4H001YA65 ,  4H001YA68 ,  5F041AA05 ,  5F041AA11 ,  5F041DA17 ,  5F041DA19 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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