半導体基板

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-020443
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213650
出願日： 1995年02月08日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】発光輝度等の諸特性に優れた発光素子を得ることができる半導体基板を安価に提供する。【構成】 InGaAlP系材料からなる活性層を有するダブルへテロ構造体および第1電極を表面に順次形成し、且つ、第2電極を裏面に形成して、半導体発光素子を構成するための半導体基板10において、ダブルへテロ構造体を形成する面10aに(311)面或いは(511)面からなる原子ステップを設ける。【効果】原子ステップを有しているので、面方位を傾斜させた半導体基板の場合と同等の特性の半導体素子を得ることができる。また、ジャスト基板を使用しているのでインゴットからの切り出し効率がよい。

請求項（抜粋）：

InGaAlP系材料からなる活性層を有するダブルへテロ構造体および第1電極を表面に順次形成し、且つ、第2電極を裏面に形成して、半導体発光素子を構成するための半導体基板において、前記ダブルへテロ構造体を形成する面に(n11)面からなる原子ステップを備えたことを特徴とする半導体基板。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 29/06

引用特許：

審査官引用 (19件)

特表平5-502331
特表平5-502331
化合物半導体結晶成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-118065 出願人：富士通株式会社

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