特許

J-GLOBAL ID：200903079105201738

光電変換装置、光電変換方法、画像読取装置、2次元イメージセンサ、2次元イメージセンサの駆動方法

発明者： 上原 和弘
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-137540
公開番号（公開出願番号）：特開2006-319441
出願日： 2005年05月10日
公開日（公表日）： 2006年11月24日
要約：

【課題】 十分な光電変換量が得られ、その結果、原稿の読取スピードや原稿への照射光量に対応した最適な感度を得ることができる光電変換装置およびこれを備えた画像読取装置、光電変換方法を提供する。【解決手段】 本発明の光電変換装置は、光電変換素子を有するTFT7のドレインDに接続された補助容量17に電荷を所定量充電し、上記補助容量17への所定量の電荷の充電完了後、上記TFT7を非導通状態にして該TFT7に光を所定時間照射した後、上記補助容量17の電荷に基づいて、上記TFT7を含むセンサ基板20の光電変換量を検出する光電変換装置であり、上記TFT7を非導通状態にして該TFT7に光を所定時間照射している時に、上記TFT7のゲートGにゲート電圧を印加する駆動IC19と、上記駆動IC19によって印加されるゲート電圧を可変制御するコントロール・通信基板24とを備えている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

感光性半導体層を有する薄膜トランジスタのドレイン電極に接続された補助容量に電荷を所定量充電し、上記補助容量への所定量の電荷の充電完了後に、上記薄膜トランジスタを非導通状態にして上記感光性半導体層に光を所定時間照射し、上記感光性半導体層に光を所定時間照射した後に、上記補助容量の電荷に基づいて、上記薄膜トランジスタを含む光電変換素子の光電変換量を検出する光電変換装置において、 上記薄膜トランジスタを非導通状態にして上記感光性半導体層に光を所定時間照射している時に、上記薄膜トランジスタのゲート電極にゲート電圧を印加するゲート電圧印加手段と、 上記ゲート電圧印加手段によって印加されるゲート電圧を可変制御するゲート電圧制御手段とを備えていることを特徴とする光電変換装置。

IPC (3件)：

H04N 1/028 ,  H04N 5/335 ,  H01L 27/146

FI (3件)：

H04N1/028 C ,  H04N5/335 Z ,  H01L27/14 C

Fターム (29件)：

4M118AA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA11 ,  4M118DB10 ,  4M118DD09 ,  4M118DD10 ,  4M118DD12 ,  4M118FB09 ,  4M118GA03 ,  4M118HA21 ,  5C024CX37 ,  5C024CX41 ,  5C024GX06 ,  5C024GX07 ,  5C024HX12 ,  5C024HX18 ,  5C024HX40 ,  5C024HX47 ,  5C024HX50 ,  5C051AA01 ,  5C051BA02 ,  5C051DB01 ,  5C051DB07 ,  5C051DC02 ,  5C051DC03 ,  5C051DE03 ,  5C051EA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 光電変換量検出方法および光電変換装置、画像入力方法および画像入力装置、2次元イメージセンサおよび2次元イメージセンサの駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-201303   出願人：シャープ株式会社